한국과학기술원(KAIST) 과학자들이 나노미터 이하 규모의 반도체 제조에 필요한 기술을 개발했다. 이미지 제공: 카이스트
2월 2일 서울 (연합뉴스) 한국과학기술원(KAIST) 과학자팀이 나노미터 이하 크기의 반도체에 필요한 기술을 개발했다고 금요일 밝혔다.
이가영 교수 연구팀은 기존 실리콘 대신 양극성 이황화몰리브덴(MoS2)이라는 신소재를 활용한 신기술이라고 밝혔다.
아시아의 두 칩 제조업체인 삼성전자와 대만 반도체 제조회사는 최신 기술을 채택하고 3nm 공정을 사용하고 있습니다.
두 회사와 미국의 경쟁사인 인텔은 2나노미터 공정을 기반으로 하는 칩의 대량 생산을 시작하는 동시에 나노미터 이하 규모의 칩 생산도 시작할 예정입니다.
1나노미터는 10억분의 1미터와 같습니다. 사람의 머리카락 굵기는 50,000~100,000나노미터입니다.
칩 제조업체는 칩의 트랜지스터가 작을수록 성능이 향상되고 전력 소비가 낮아지기 때문에 제품을 더 컴팩트하게 만들려고 노력합니다.
“세계는 지금 1nm 이하를 목표로 하는 컴퓨터 칩 노드를 개발하기 위해 경쟁하고 있습니다. 이러한 개발과 달리 전통적인 실리콘은 단채널 효과와 같은 문제로 인해 좋은 재료가 아닙니다”라고 Lee는 UPI News Korea에 말했습니다.
“MoS2는 독특한 구조로 인해 이러한 문제를 효율적으로 처리할 수 있다는 점에서 우수합니다. 그러나 과학자들은 이를 사용하여 양극성 반도체를 만드는 데 어려움을 겪었습니다. 이러한 배경에서 우리는 고성능 양극성 MoS2 장치를 달성하기 위한 간단한 전략을 시연했습니다. ” 그녀가 말했다.
단채널 효과는 매우 작은 장치로 만들어진 대형 집적 회로에서 발생하며 누설 전류와 같은 문제로 인해 성능에 부정적인 영향을 미칩니다.
바이폴라 반도체는 칩에 필요한 기본 기능인 양전하와 음전하를 운반하도록 설계되었음을 의미합니다.
Lee는 MoS2 기반 장치가 트랜지스터, 다이오드 및 광검출기 역할을 할 수 있기 때문에 팀의 새로운 발견은 다기능성이라는 또 다른 이점을 가질 것이라고 덧붙였습니다.
이 연구는 동료 심사를 거친 과학 저널인 American Chemical Society Nano에 최근 게재되었습니다.
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